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参数目录41684
> IRFSL3206PBF MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
型号:
IRFSL3206PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFSL3206PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet TO-262
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6540pF @ 50V
功率 - 最大
300W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
TO-262
包装
管件
产品目录页面
1519 (CN2011-ZH PDF)
查看IRFSL3206PBF代理商
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